P1403CV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1403CV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0146 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P1403CV datasheet

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P1403CV

P1403CV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14.6m @VGS = 10V 30V 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current1 TA = 70 C 7 A IDM 45 Pulsed Drain Current

 9.1. Size:395K  onsemi
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P1403CV

Ordering number ENA2294A PCP1403 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 4.5A, 117m , Single PCP Features On-resistance RDS(on)1=92m (typ.) 4V drive Protection Diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain to Source Voltage VDSS 60 V Gate to Source Voltage

 9.2. Size:513K  unikc
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P1403CV

P1403EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = 10V -30V -30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C(Package Limited) -30 ID Continuous Drain Current TC = 25 C(Silic

 9.3. Size:473K  unikc
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P1403CV

P1403EV8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = -10V -30V - 12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -10 A IDM -65 Pulsed Drai

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