P1503BVG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1503BVG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 229 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P1503BVG datasheet

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P1503BVG

P1503BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 15m @VGS = 10V 10A SOP- 08 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A

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P1503BVG

P1503HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 30V 9A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7 A IDM 40 Pulsed Drain Current1

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P1503BVG

P1503HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 30V 24A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 24 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 15 IDM 72 Pulsed Drain Curr

Otros transistores... P1308ATG, P1350AT, P1350ATF, P1350ATFS, P1402CDG, P1403CV, P1403EK, P1403EV8, 20N60, P1503HK, P1503HV, P1504BDG, P1504BVG, P1504EDG, P1504EIS, P1504HV, P1510ATG