P1604ET Todos los transistores

 

P1604ET MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1604ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 334 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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P1604ET datasheet

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P1604ET

P1604ET P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = -10V -40V -65A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -65 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C -42 A IDM -120 Pulsed Drain

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P1604ET

P1604ETF P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 16m @VGS = -10V -40A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -40 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -25 A IDM -120 Pulsed Drai

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P1604ET

P1604ED P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 16m @VGS = -10V -43A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -43 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -34 A IDM -130 Pulsed Drain Cu

Otros transistores... P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , IRFB4115 , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG .

 

 

 


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