P2003BVG Todos los transistores

 

P2003BVG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2003BVG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de P2003BVG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P2003BVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  unikc
 p2003bvg.pdf pdf_icon

P2003BVG

P2003BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM32Pulsed Drain Current1IAS

 7.1. Size:547K  unikc
 p2003bvt.pdf pdf_icon

P2003BVG

P2003BVTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9A100% Rg tested100% UIS testedSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AID

 7.2. Size:475K  unikc
 p2003bv.pdf pdf_icon

P2003BVG

P2003BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 8.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C8.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6.8AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 17

 8.1. Size:341K  unikc
 p2003bea.pdf pdf_icon

P2003BVG

P2003BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 10APDFN 3x3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS30VGate-Source Voltage VGS20 TC = 25 C28 TC = 100 C18IDContinuous Drain Current TA = 25 C10A TA =

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P5010AD , P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV , 7N60 , P2003BVT , P2003ED , P2003EEA , P2003EEAA , P2003ETF , P2003EV , P2003EV8 , P2003EVG .

History: DH300P06D | BL4N65A-P | ME7805S | UPA1772G | S70N06S | IPB80P04P4L-08 | FDN304P-NL

 

 
Back to Top

 


 
.