P2003BVG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P2003BVG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
P2003BVG Datasheet (PDF)
p2003bvg.pdf
P2003BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM32Pulsed Drain Current1IAS
p2003bvt.pdf
P2003BVTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9A100% Rg tested100% UIS testedSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AID
p2003bv.pdf
P2003BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 8.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C8.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6.8AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 17
p2003bea.pdf
P2003BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 10APDFN 3x3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS30VGate-Source Voltage VGS20 TC = 25 C28 TC = 100 C18IDContinuous Drain Current TA = 25 C10A TA =
Otros transistores... P5010AD , P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV , IRFB31N20D , P2003BVT , P2003ED , P2003EEA , P2003EEAA , P2003ETF , P2003EV , P2003EV8 , P2003EVG .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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