P2003EV8 Todos los transistores

 

P2003EV8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P2003EV8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 301 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de P2003EV8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P2003EV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  unikc
 p2003ev8.pdf pdf_icon

P2003EV8

P2003EV8P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 20m @VGS = -10V -10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-8AIDM-55Pulsed Drain Cu

 7.1. Size:491K  unikc
 p2003evg.pdf pdf_icon

P2003EV8

P2003EVGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9ASOP- 08100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-7

 7.2. Size:505K  unikc
 p2003evt.pdf pdf_icon

P2003EV8

P2003EVTP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9A100% UIS testedSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C-8AIDM-32

 7.3. Size:363K  unikc
 p2003ev.pdf pdf_icon

P2003EV8

P2003EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-7AIDM-45Pulsed Drain Curr

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P2003BV , P2003BVG , P2003BVT , P2003ED , P2003EEA , P2003EEAA , P2003ETF , P2003EV , IRF830 , P2003EVG , P2003EVT , P2003HV , P2003KV , P2003NV , P2004EV , P2060ZTF , P2060ZTFS .

History: MRF164W

 

 
Back to Top

 


 
.