P2060ZTFS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P2060ZTFS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1096 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P2060ZTFS
P2060ZTFS Datasheet (PDF)
p2060ztf-s.pdf
P2060ZTF / P2060ZTFSN-Channel High Voltage Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID190m @VGS = 10V600V 20ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C20IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC12ID
dmp2060ufdb.pdf
DMP2060UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 90m @ VGS = -4.5V -3.2A Low Profile, 0.6mm Max Height -20V 137m @ VGS = -2.5V -2.6A ESD protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.
p2060jf.pdf
N-Channel Enhancement Mode P2060JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 196m 20A DG1. GATE 2. DRAIN S3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC
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Liste
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