P2060ZTFS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2060ZTFS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1096 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO220FS

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P2060ZTFS datasheet

 6.1. Size:837K  unikc
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P2060ZTFS

P2060ZTF / P2060ZTFS N-Channel High Voltage Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 190m @VGS = 10V 600V 20A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 A C 12 ID

 9.1. Size:406K  diodes
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P2060ZTFS

DMP2060UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 90m @ VGS = -4.5V -3.2A Low Profile, 0.6mm Max Height -20V 137m @ VGS = -2.5V -2.6A ESD protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free.

 9.2. Size:334K  niko-sem
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P2060ZTFS

N-Channel Enhancement Mode P2060JF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 196m 20A D G 1. GATE 2. DRAIN S 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

Otros transistores... P2003EV8, P2003EVG, P2003EVT, P2003HV, P2003KV, P2003NV, P2004EV, P2060ZTF, 7N60, P2103HVG, P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, P2204ND5G, P2206BD, P2402OV