P2202CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2202CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOT23

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P2202CM datasheet

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P2202CM

P2202CM N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24m @VGS = 4.5V 20V 6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 5 A IDM 25 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 21 EAS A

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P2202CM

P2202CM6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 22m @VGS = 4.5V 20V 5.6A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 5.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4.5 A IDM 50 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 21

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P2202CM

P2202CV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 22m @VGS = 4.5V 20V 8A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 6 A IDM 80 Pulsed Drain Current1,2 I

Otros transistores... P2003HV, P2003KV, P2003NV, P2004EV, P2060ZTF, P2060ZTFS, P2103HVG, P2103NVG, IRF830, P2202CM6, P2202CV, P2204ND5G, P2206BD, P2402OV, P2502IZG, P8008BD, P8008BDA