P3202CMG Todos los transistores

 

P3202CMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P3202CMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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P3202CMG Datasheet (PDF)

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P3202CMG

P3202CMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20V 32m @VGS = 4.5V 5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS12 VTA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4IDM30Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.25PDPower Di

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P3202CMG

P3202CMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID32m @VGS = 4.5V20V 5ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC4IDM30Pulsed Drain Current1TA = 25 C1.3PDPower

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History: SL20N10 | 2SK526 | AOD2904

 

 
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