P3202CMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P3202CMG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P3202CMG
P3202CMG Datasheet (PDF)
p3202cmg.pdf
P3202CMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 32m @VGS = 4.5V 5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 12 V TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 4 IDM 30 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.25 PD Power Di
p3202cma.pdf
P3202CMA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 32m @VGS = 4.5V 20V 5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C 5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 4 IDM 30 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 1.3 PD Power
Otros transistores... P8503BMG , P3003EDG , P3004BD , P3004ND5G , P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , IRFB4110 , P3203CMG , P3203EVG , P3204HV , P3304EV , P3304QV , P3503EVG , P3710AV , P3710BD .
History: PM509BA | PM516BZ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
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