P3204HV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P3204HV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P3204HV datasheet

 ..1. Size:512K  unikc
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P3204HV

P3204HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 32m @VGS = 10V 40V 6A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 5 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

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P3204HV

100A 40V KNX3204A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features R =4m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply 3. Pinconfiguration Pin Pin Pin TO-252 Function TO-220 DFN5*6 T

 9.2. Size:419K  kia
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P3204HV

100A 40V KNX3204A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features R =4m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drai

Otros transistores... P3004ND5G, P3010BV, P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, AO3400, P3304EV, P3304QV, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK