PZ5203EMA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PZ5203EMA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23S

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PZ5203EMA

PZ5203EMA Datasheet (PDF)

..1. Size:752K unikc
pz5203ema.pdf

PZ5203EMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 16TA = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.5IDM20Pulsed Drain Cur

0.1. Size:435K niko-sem
pz5203emaa.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement PZ5203EMAA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 60m -2.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

8.1. Size:762K unikc
pz5203qv.pdf

PZ5203QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel22m @VGS =10V30V 7A N52m @VGS = -10V-30V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinu

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Liste

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