PK6B2BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PK6B2BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK6B2BA

PK6B2BA Datasheet (PDF)

..1. Size:358K 1
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PK6B2BA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 6m 52A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volt

..2. Size:995K unikc
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PK6B2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 52APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C52IDContinuous Drain Current3TC = 100 C33IDM120Pulsed Drain Current

..3. Size:358K niko-sem
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Liste

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