PA102FMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA102FMG
Código: 21*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PA102FMG
PA102FMG Datasheet (PDF)
pa102fmg.pdf
PA102FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID118m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.1IDM-10Pu
pa102fma.pdf
PA102FMAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID118m @VGS = 4.5V-20V -2ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20 VVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-2IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-1.7 AIDM-9Pu
pa102fdg.pdf
PA102FDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID115m @VGS = -4.5V-20V -10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC-6.2IDM-24Pulsed Drain
upa102g.pdf
UPA102G IL08********** HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR ARRAY TOP VIEW14 13 12 11 10 9 8SUBSUB1 2 3 4 5 6 7
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Liste
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