PA102FMG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA102FMG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PA102FMG datasheet

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PA102FMG

PA102FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 118m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.1 IDM -10 Pu

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PA102FMG

PA102FMA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 118m @VGS = 4.5V -20V -2A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -2 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -1.7 A IDM -9 Pu

 8.1. Size:541K  unikc
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PA102FMG

PA102FDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 115m @VGS = -4.5V -20V -10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TC = 25 C -10 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C -6.2 IDM -24 Pulsed Drain

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PA102FMG

UPA102G IL08 ********** HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR ARRAY TOP VIEW 14 13 12 11 10 9 8 SUB SUB 1 2 3 4 5 6 7

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