PA102FMG Todos los transistores

 

PA102FMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA102FMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PA102FMG Datasheet (PDF)

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PA102FMG

PA102FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID118m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.1IDM-10Pu

 7.1. Size:446K  unikc
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PA102FMG

PA102FMAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID118m @VGS = 4.5V-20V -2ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20 VVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-2IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-1.7 AIDM-9Pu

 8.1. Size:541K  unikc
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PA102FMG

PA102FDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID115m @VGS = -4.5V-20V -10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC-6.2IDM-24Pulsed Drain

 9.1. Size:6K  nec
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PA102FMG

UPA102G IL08********** HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR ARRAY TOP VIEW14 13 12 11 10 9 8SUBSUB1 2 3 4 5 6 7

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