PA610AD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA610AD 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TO252
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PA610AD datasheet
pa610ad.pdf
PA610AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 100V 12A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 7 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 24 EA
pa610atf.pdf
PA610ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 160m @VGS = 10V 100V 8A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.4 A IDM 32 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 8 E
pa610dd.pdf
PA610DD P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200m @VGS = -10V -100V -10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C -10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -8 A IDM -28 Pulsed Drain
pa610dtf.pdf
PA610DTF P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200m @VGS = -10V -100V -10A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -8 A IDM -40 Pulsed Dr
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History: DHS025N10 | TSM3424CX6 | SI6404DQ | DTG050P06LA | AP10N4R5S | APG12N10D | PE5G6EA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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