PB210BC Todos los transistores

 

PB210BC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PB210BC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

 Búsqueda de reemplazo de PB210BC MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PB210BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  unikc
 pb210bc.pdf pdf_icon

PB210BC

PB210BCN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID240m @VGS = 10V100V 2.2ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C2.2IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C1.8AIDM8Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 6

 8.1. Size:383K  unikc
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BC

PB210BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18EA

 8.2. Size:372K  unikc
 pb210btf.pdf pdf_icon

PB210BC

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 230m @VGS = 10V 8ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18E

 8.3. Size:456K  unikc
 pb210bv.pdf pdf_icon

PB210BC

PB210BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2.1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2.1IDContinuous Drain Current1TA = 70 C1.7AIDM17Pulsed Drain Curre

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , IRF1404 , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA .

History: IPD80R3K3P7 | JCS7HN65S | AP9973GD | ME4947 | PMPB43XPEA | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
Back to Top

 


 
.