PK510BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK510BA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6P
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PK510BA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PK510BA datasheet
pk510ba.pdf
PK510BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 3.3m @VGS = 10V 30V 86A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 86 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 54 IDM 150 Pulsed Drain Curr
Otros transistores... PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV, IRF3710, PK512BA, PK516BA, PK527BA, PK552DX, PK600BA, PK608BA, PK608DY, PB544DU
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360
