PK510BA Todos los transistores

 

PK510BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK510BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK510BA Datasheet (PDF)

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PK510BA

PK510BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID23.3m @VGS = 10V30V 86APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C86IDContinuous Drain Current2TC = 100 C54IDM150Pulsed Drain Curr

Otros transistores... PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , P55NF06 , PK512BA , PK516BA , PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | BUK9575-55A | SI1488DH | CHM5813ESQ2GP | IXFH50N30Q3

 

 
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