APM2318A Todos los transistores

 

APM2318A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM2318A
   Código: M18X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

APM2318A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  anpec
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APM2318A

APM2318AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/3A ,DRDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=40m(typ.) @ VGS=4.5VGRDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=2.5VS Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in

 8.1. Size:403K  shenzhen
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APM2318A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdAPM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management

 8.2. Size:650K  sino
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APM2318A

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,DRDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5VG RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8VTop View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management in Notebook Com

 8.3. Size:851K  cn vbsemi
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APM2318A

APM2315ACwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-2

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