APM4008NU Todos los transistores

 

APM4008NU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4008NU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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APM4008NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  anpec
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APM4008NU

APM4008NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,RDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=10.5m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Channel MOSFET

 6.1. Size:229K  anpec
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APM4008NU

APM4008NGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,RDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=10m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell DesignD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS G SCompliant) Top View of TO-263DApplications Power Management in LCD monitor/TVGSN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor

 9.1. Size:202K  anpec
apm4050pu.pdf pdf_icon

APM4008NU

APM4050PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-25A, RDS(ON)=33m (typ.) @ VGS=-10VG D RDS(ON)=47m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD/TV InverterDP-Channel MOSFETOrdering and Mar

 9.2. Size:206K  anpec
apm4018nu.pdf pdf_icon

APM4008NU

APM4018NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,DRDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VGRDS(ON)=9.5m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Top View of TO-252-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer orSDC/DC ConvertersN-Channel MOSFETO

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History: AM90P06-20P | TSM5ND50CP | IXFH96N15P | FDMS8050ET30 | LND04R035B | AP9576GM-HF | HY4N60D

 

 
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