APM4115PU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4115PU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4115PU

APM4115PU Datasheet (PDF)

..1. Size:206K anpec
apm4115pu.pdf

APM4115PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-45A, RDS(ON)= 12.5m (typ.) @ VGS=-10VDG RDS(ON)= 18.5m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD TV InverterDP-Channel MOSFETOrderin

9.1. Size:205K anpec
apm4101k.pdf

APM4101KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 40V/9A,D2D2RDS(ON)= 12m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= 20m (typ.) @ VGS=5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1 D1 D2 D2ApplicationsG1 G2 Power Management in LCD Monitor/TV Inverter.

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: