APM4210K Todos los transistores

 

APM4210K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4210K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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APM4210K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  anpec
apm4210k.pdf pdf_icon

APM4210K

APM4210K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 25V/10A, DDRDS(ON) = 9m(typ.) @ VGS = 10V D RDS(ON) = 15m(typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Density Cell Design SG Avalanche Rated SOP - 8 Reliable and Rugged SOP-8 Package ( 5,6,7,8 )D D D

 9.1. Size:148K  anpec
apm4240k.pdf pdf_icon

APM4210K

APM4240KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 25V/15A,DDDRDS(ON)=4.5m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=6.5m(typ.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche Rated Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 SOP-8 Package ( 5,6,7,8 ) Lea

 9.2. Size:166K  anpec
apm4230k.pdf pdf_icon

APM4210K

APM4230KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 25V/13.5A, DDDRDS(ON)=6m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche Rated Top View of SOP - 8 Reliable and Rugged SOP-8 Package ( 5,6,7,8 ) L

 9.3. Size:155K  anpec
apm4220.pdf pdf_icon

APM4210K

APM4220N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/14A, RDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=10VS 1 8 DRDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VS 2 7 D Super High Dense Cell Design forS 3 6 DExtremely Low RDS(ON)G 45 D Reliable and Rugged SOP-8 Package SO - 8DApplications Power Management i

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