APM4220K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4220K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de APM4220K MOSFET
APM4220K Datasheet (PDF)
apm4220k.pdf
APM4220KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 25V/12A,DDDRDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche RatedTop View of SOP - 8 Reliable and Rugged SOP-8 Package( 5,6,7,8 ) Lead
apm4220ka.pdf
APM4220KAN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD8D7 25V/16A,D6D5 RDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=10VS1 RDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VS2S3 Super High Dense Cell DesignG4 Avalanche Rated SOP-8 Exposed Reliable and Rugged = Thermal Pad Thermal Pad Exposed with Standard SOP-8 (connected to Drain plane for better heat Outlinedissipation)
apm4220.pdf
APM4220N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/14A, RDS(ON)=7.5m(typ.) @ VGS=10VS 1 8 DRDS(ON)=10m(typ.) @ VGS=4.5VS 2 7 D Super High Dense Cell Design forS 3 6 DExtremely Low RDS(ON)G 45 D Reliable and Rugged SOP-8 Package SO - 8DApplications Power Management i
apm4240k.pdf
APM4240KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 25V/15A,DDDRDS(ON)=4.5m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=6.5m(typ.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche Rated Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 SOP-8 Package ( 5,6,7,8 ) Lea
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History: IRF2804L
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