APM4356KP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4356KP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: KPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4356KP

APM4356KP Datasheet (PDF)

..1. Size:233K anpec
apm4356kp.pdf

APM4356KPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD 30V/80A,DDDDRDS(ON) = 3.3m (typ.) @ VGS = 10VSSSSRDS(ON) = 4.5m (typ.) @ VGS = 4.5VSSGG Super High Dense Cell Design Avalanche RatedTop View of KPAK Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)D D D DApplicationsG Power Management in Notebook Compu

8.1. Size:236K anpec
apm4358kp.pdf

APM4358KPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD 30V/80A,DDDDRDS(ON) = 2.3m (typ.) @ VGS = 10VSSSSRDS(ON) = 4.3m (typ.) @ VGS = 4.5VSSGG Super High Dense Cell Design Avalanche RatedTop View of KPAK Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)D D D DApplicationsG Power Management in Notebook Compu

8.2. Size:240K anpec
apm4350kp.pdf

APM4350KPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD 30V/60A,DDDRDS(ON) =7.5m (typ.) @ VGS = 10V DSSRDS(ON) =11.5m (typ.) @ VGS = 4.5VSSSS Super High Dense Cell Design GG Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)D D D DApplicationsG Power Management in Notebook Computer, orDecktop Comp

8.3. Size:229K anpec
apm4354kp.pdf

APM4354KPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD 30V/70A,DDDDRDS(ON) =4.5m (typ.) @ VGS = 10VSSSSRDS(ON) =6m (typ.) @ VGS = 4.5VSSGG Super High Dense Cell Design Avalanche RatedTop View of KPAK Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)D D D DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: