APM4416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4416
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4416
APM4416 Datasheet (PDF)
apm4416.pdf
APM4416N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSO-8 30V/8A , RDS(ON)=15m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=22m(typ.) @ VGS=4.5V S 1 8 D Super High Dense Cell Design for ExtremelyS 2 7 DLow RDS(ON)S 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 PackageTop ViewDApplications Power Manageme
apm4416k.pdf
APM4416KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/4A,DDDRDS(ON)=15m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=22m(typ.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D DApplications Po
apm4410.pdf
APM4410N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/11.5A, RDS(ON) = 9m(typ.) @ VGS = 10VS 1 8 DRDS(ON) =14.5m(typ.) @ VGS = 4.5VS 2 7 D High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8DApplications Power Management in Notebook Computer,G
apm4412k.pdf
APM4412KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/12A, RDS(ON) = 9m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) =12m (typ.) @ VGS = 4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOP-8 PackageTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D DApplications Power Management in Notebook Computer,(4) Portable Equipment and
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