APM4420 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4420
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: SO8
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APM4420 datasheet
apm4420.pdf
APM4420 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S 1 8 D 30V/12.5A, RDS(ON)=6m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=10m (typ.) @ VGS=4.5V S 2 7 D Super High Dense Cell Design for S 3 6 D Extremely Low RDS(ON) G 45 D Reliable and Rugged SO-8 Package SO - 8 D Applications Power Management i
apm4429.pdf
APM4429 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-13A, RDS(ON) = 8m (typ.) @ VGS = -20V S 1 8 D RDS(ON) = 9m (typ.) @ VGS = -10V S 2 7 D RDS(ON) =13m (typ.) @ VGS = -4.5V S 3 6 D Super High Density Cell Design G 45 D Reliable and Rugged SO - 8 SO-8 Package S S S Applications
apm4425k.pdf
APM4425K P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-11A, D D D RDS(ON) = 11m (typ.) @ VGS = -10V D RDS(ON) = 15m (typ.) @ VGS = -4.5V S S Super High Density Cell Design S G Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 SOP-8 Package ( 1, 2, 3 ) Lead Free Available (RoHS Compliant) S S S
Otros transistores... APM4356KP , APM4358KP , APM4360KP , APM4408 , APM4410 , APM4412K , APM4416 , APM4416K , IRF540 , APM4425K , APM4427K , APM4429 , APM4430 , APM4430K , APM4431K , APM4435K , APM4461 .
History: APT10078SFLL
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