APM4461AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4461AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4461AK

APM4461AK Datasheet (PDF)

..1. Size:177K anpec
apm4461ak.pdf

APM4461AK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -20V/-6A,DD RDS(ON)=25m(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=-4.5VSS RDS(ON)=55m(typ.) @ VGS=-2.5VSG Super High Dense Cell DesignTop View of SOP - 8 Reliable and Rugged(1, 2, 3) SOP-8 PackageS S S Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4)GApplicati

7.1. Size:224K anpec
apm4461.pdf

APM4461 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-7A, RDS(ON) = 25m(typ.) @ VGS = -10VS 1 8 DRDS(ON) = 35m(typ.) @ VGS = -4.5VS 2 7 DRDS(ON) = 55m(typ.) @ VGS = -2.5VS 3 6 D Super High Density Cell DesignG 45 D Reliable and Rugged SOP-8 Package SO - 8S S SApplicat

7.2. Size:209K anpec
apm4461k.pdf

APM4461K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-6A , RDS(ON)=25m(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=55m(typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of SOP - 8 Reliable and Rugged SOP-8 Package(1, 2, 3)S S S Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications(4)G Power Management in Notebook Compu

8.1. Size:210K anpec
apm4463k.pdf

APM4463K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-10A , RDS(ON)=12m(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=18m(typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design SOP - 8 Reliable and Rugged SOP-8 Package(1, 2, 3)S S S Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications(4)G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powere

8.2. Size:265K sino
apm4463k.pdf

APM4463K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -20V/-10A, DDRDS(ON)=12m (typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=18m (typ.) @ VGS=-2.5VSS Reliable and RuggedSG SOP-8 Package Top View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available(1, 2, 3)(RoHS Compliant)S S S(4)GApplications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and

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