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APM4500 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM4500

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(4.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.09) Ohm

Encapsulados: SO8

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APM4500 datasheet

 ..1. Size:342K  anpec
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APM4500

APM4500 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel S1 1 8 D1 20V/8A , RDS(ON)=22m (typ.) @ VGS=4.5V G1 2 7 D1 RDS(ON)=30m (typ.) @ VGS=2.5V S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-Channel -20V/-4.3A , RDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5V SO-8 RDS(ON)=105m (typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low D1 D1

 0.1. Size:240K  anpec
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APM4500

APM4500AK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description D1 D1 N-Channel D2 D2 20V/8A, RDS(ON) =22m (typ.) @ VGS = 4.5V S1 RDS(ON) =30m (typ.) @ VGS = 2.5V G1 S2 P-Channel G2 -20V/-4.3A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =80m (typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) =105m (typ.) @ VGS =-2.5V D1 D1 D2 D2 Super High Dense Cell Des

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APM4500

APM4500 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel S1 1 8 D1 20V/8A , RDS(ON)=22m (typ.) @ VGS=4.5V G1 2 7 D1 RDS(ON)=30m (typ.) @ VGS=2.5V S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-Channel -20V/-4.3A , RDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5V SO-8 RDS(ON)=105m (typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low D1 D1

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APM4500

APM4500AK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description D1 D1 N-Channel D2 D2 20V/8A, RDS(ON) =22m (typ.) @ VGS = 4.5V S1 RDS(ON) =30m (typ.) @ VGS = 2.5V G1 S2 G2 P-Channel -20V/-4.3A, Top View of SOP 8 RDS(ON) =80m (typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) =105m (typ.) @ VGS =-2.5V D1 D1 D2 D2 Reliable and Rugged Lead Free and Gr

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