APM4500 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4500
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(4.3) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.09) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4500

APM4500 Datasheet (PDF)

..1. Size:342K anpec
apm4500.pdf

APM4500Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelS1 1 8 D120V/8A , RDS(ON)=22m(typ.) @ VGS=4.5VG1 2 7 D1RDS(ON)=30m(typ.) @ VGS=2.5V S2 3 6 D2G2 4 5 D2 P-Channel-20V/-4.3A , RDS(ON)=80m(typ.) @ VGS=-4.5VSO-8 RDS(ON)=105m(typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely LowD1 D1

0.1. Size:240K anpec
apm4500ak.pdf

APM4500AKDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1D1 N-ChannelD2 D2 20V/8A, RDS(ON) =22m(typ.) @ VGS = 4.5VS1 RDS(ON) =30m(typ.) @ VGS = 2.5VG1S2 P-ChannelG2-20V/-4.3A,Top View of SOP - 8 RDS(ON) =80m(typ.) @ VGS =-4.5V(8) (7)(6) (5) RDS(ON) =105m(typ.) @ VGS =-2.5VD1 D1D2 D2 Super High Dense Cell Des

0.2. Size:703K anpec
apm4500k.pdf

0.3. Size:302K sino
apm4500ak.pdf

APM4500AK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1D1 N-Channel D2D2 20V/8A, RDS(ON) =22m (typ.) @ VGS = 4.5VS1 RDS(ON) =30m (typ.) @ VGS = 2.5V G1S2G2 P-Channel-20V/-4.3A,Top View of SOP 8 RDS(ON) =80m (typ.) @ VGS =-4.5V(8) (7)(6) (5) RDS(ON) =105m (typ.) @ VGS =-2.5VD1 D1D2 D2 Reliable and Rugged Lead Free and Gr

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Liste

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