APM4532 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM4532
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(3.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045(0.095) Ohm
Encapsulados: SO8
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APM4532 datasheet
apm4532.pdf
APM4532 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel S1 1 8 D1 30V/5A, RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V G1 2 7 D1 RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=4.5V S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-Channel -30V/-3.5A, RDS(ON)=85m (typ.) @ VGS=-10V SO-8 RDS(ON)=135m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design for Extremely D1 D1 S2 Lo
apm4532k.pdf
APM4532K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 D2 30V/5A, D2 RDS(ON) =35m (typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =60m (typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 G2 P-Channel -30V/-3.5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =85m (typ.) @ VGS =-10V (8) (7) (3) RDS(ON) =135m (typ.) @ VGS =-4.5V D1 D1 S2 Super High Dense C
apm4532kc.pdf
APM4532KC www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG
apm4536k.pdf
APM4536K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 30V/5A, D2 D2 RDS(ON) =35m (typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =45m (typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P-Channel G2 -30V/-5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =40m (typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) =55m (typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (3) D1 D1 S2 Super High Dense Cell
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