APM4532 Todos los transistores

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APM4532 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM4532

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5(3.5) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045(0.095) Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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APM4532 Datasheet (PDF)

1.1. apm4532.pdf Size:234K _anpec

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APM4532 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel S1 1 8 D1 30V/5A, RDS(ON)=35mΩ(typ.) @ VGS=10V G1 2 7 D1 RDS(ON)=60mΩ(typ.) @ VGS=4.5V S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 • P-Channel -30V/-3.5A, RDS(ON)=85mΩ(typ.) @ VGS=-10V SO-8 RDS(ON)=135mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V • Super High Dense Cell Design for Extremely • • • • D1 D1 S2 Lo

1.2. apm4532k.pdf Size:187K _anpec

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APM4532K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel D1 D1 D2 30V/5A, D2 RDS(ON) =35mΩ(typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =60mΩ(typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 G2 • P-Channel • • • • -30V/-3.5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =85mΩ(typ.) @ VGS =-10V (8) (7) (3) RDS(ON) =135mΩ(typ.) @ VGS =-4.5V D1 D1 S2 • Super High Dense C

4.1. apm4534k.pdf Size:271K _anpec

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APM4534K Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel 30V/4.5A RDS(ON) = 65mΩ(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 90mΩ(typ.) @ VGS = 4.5V P-Channel -30V/-3.3A, RDS(ON) = 110mΩ(typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 175mΩ(typ.) @ VGS = -4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 Reliable and Rugged Lea

4.2. apm4538k.pdf Size:198K _anpec

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APM4538K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel D1 D1 D2 36V/5A, D2 RDS(ON) =50mΩ(typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =60mΩ(typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 G2 • P-Channel • • • • -36V/-4A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =60mΩ(typ.) @ VGS =-10V (3) RDS(ON) =80mΩ(typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) S2 D1 D1 • Super High Dense Cel

4.3. apm4536k.pdf Size:180K _anpec

APM4532
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APM4536K Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel D1 D1 30V/5A, D2 D2 RDS(ON) =35mΩ(typ.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) =45mΩ(typ.) @ VGS = 4.5V G1 S2 • P-Channel • • • • G2 -30V/-5A, Top View of SOP - 8 RDS(ON) =40mΩ(typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) =55mΩ(typ.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (3) D1 D1 S2 • Super High Dense Cell

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