APM4925K Todos los transistores

 

APM4925K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4925K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

APM4925K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  anpec
 apm4925k.pdf pdf_icon

APM4925K

APM4925KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 -30V/-6.1A ,D1D2RDS(ON)=24m(typ.) @ VGS=-10V D2RDS(ON)=30m(typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package Lead Free Available (RoHS Compliant)

 7.1. Size:148K  anpec
 apm4925.pdf pdf_icon

APM4925K

APM4925 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description -30V/-6.1A, RDS(ON) = 24m(typ.) @ VGS = -10VS1 1 8 D1RDS(ON) = 30m(typ.) @ VGS = -4.5VG1 2 7 D1 Super High Density Cell DesignS2 3 6 D2 Reliable and RuggedG2 45 D2 SO-8 Package SO - 8ApplicationsS1 S2 Power Management i

 8.1. Size:511K  sino
 apm4927k.pdf pdf_icon

APM4925K

APM4927K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1D2 -30V/-9A,D2RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)= 28m (typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(1) (3) (RoHS Compliant)S1 S2Applications (2) (4)G1 G2 Power Management in MB/NB

 8.2. Size:1454K  cn vbsemi
 apm4927kc.pdf pdf_icon

APM4925K

APM4927KCwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G

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History: IXFN64N60P | IRLU024NPBF | SMP40N10 | IRF624A | 2SK4181-TL-E | WNM3017

 

 
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