APM7332K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM7332K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM7332K

APM7332K Datasheet (PDF)

..1. Size:204K anpec
apm7332k.pdf

APM7332KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 30V/7A,D2D2RDS(ON) = 24m(typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.) @ VGS = 4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2Applications Power Management in Notebook Computer,(2) (4)

8.1. Size:173K anpec
apm7334k.pdf

APM7334KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 30V/8A,D2D2RDS(ON) =15m(typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =23m(typ.) @ VGS = 4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2Applications(4)(2)G1 G2 Power Manageme

8.2. Size:220K anpec
apm7336k.pdf

APM7336KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 30V/9A,D2D2RDS(ON) =18m (Max.) @ VGS =10VRDS(ON) =28m (Max.) @ VGS =4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8(RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2Applications(4)(2) Power Management in Notebook

8.3. Size:176K anpec
apm7330j.pdf

APM7330JDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/8.5A,RDS(ON) = 19m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 23m (typ.) @ VGS = 4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of DIP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)D2 D2D1 D1Applications Inventer Application in LCM and LCD TVG1 G2S1 S2N-Channel MOSFETOrdering and Marking

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Liste

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