APM9410K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM9410K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
- Selección de transistores por parámetros
APM9410K Datasheet (PDF)
apm9410k.pdf

APM9410N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSO-8 30V/8A , RDS(ON)=15m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=23m(typ.) @ VGS=4.5VS 1 8 D Super High Dense Cell Design for ExtremelyS 2 7 DLow RDS(ON)S 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 PackageTop ViewDApplications Power Managem
apm9410.pdf

APM9410N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSO-8 30V/8A , RDS(ON)=15m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=23m(typ.) @ VGS=4.5VS 1 8 D Super High Dense Cell Design for ExtremelyS 2 7 DLow RDS(ON)S 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 PackageTop ViewDApplications Power Managem
apm9430.pdf

APM9430 N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/4A, RDS(ON) = 40m(typ.) @ VGS = 4.5VS 1 8 D RDS(ON) = 110m(typ.) @ VGS = 2.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8D D D DApplications Power Management in Notebook
apm9435.pdf

APM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.6A, RDS(ON) = 52m(typ.) @ VGS = -10VS 1 8 DRDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8ApplicationsS S S Power Management in Noteboo
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History: CJQ4410 | AP10TN135J | FQD50P06 | RF4E080GN | TK14G65W | AP4506GEM | WMM53N60F2
History: CJQ4410 | AP10TN135J | FQD50P06 | RF4E080GN | TK14G65W | AP4506GEM | WMM53N60F2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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