APM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM9435

APM9435 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K anpec
apm9435.pdf

APM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.6A, RDS(ON) = 52m(typ.) @ VGS = -10VS 1 8 DRDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8ApplicationsS S S Power Management in Noteboo

0.1. Size:513K anpec
apm9435k.pdf

APM9435K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -30V/-4.6A , DD RDS(ON)=52m(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=80m(typ.) @ VGS=-4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 1, 2, 3 )S S SApplications(4) Power Management in Notebook Computer,

0.2. Size:1488K kexin
apm9435k.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAPM9435K (APM9435KC)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-4.6 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source47 Drain3 SourceG8 Drain4 Gate5 162738 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo

0.3. Size:805K cn vbsemi
apm9435kc.pdf

APM9435KCwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

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Liste

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