APM9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SO8
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APM9435 datasheet
apm9435.pdf
APM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-4.6A, RDS(ON) = 52m (typ.) @ VGS = -10V S 1 8 D RDS(ON) = 80m (typ.) @ VGS = -4.5V S 2 7 D Super High Density Cell Design S 3 6 D Reliable and Rugged G 45 D SO-8 Package SO - 8 Applications S S S Power Management in Noteboo
apm9435k.pdf
APM9435K P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D -30V/-4.6A , D D RDS(ON)=52m (typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5V S S Super High Dense Cell Design S G Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) ( 1, 2, 3 ) S S S Applications (4) Power Management in Notebook Computer,
apm9435k.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET APM9435K (APM9435KC) SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-4.6 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 4 7 Drain 3 Source G 8 Drain 4 Gate 5 1 6 2 7 3 8 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
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History: SFS130N06GF
History: SFS130N06GF
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Liste
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