APM9928K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM9928K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(3.2) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045(0.06) Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
APM9928K Datasheet (PDF)
apm9928k.pdf

APM9928Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-Channel5 & , 20V/5A , RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=4.5V/ % , RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=3.0V 5 ! $ , / " # , P-Channel-20V/-3.2A , RDS(ON)=80m(typ.) @ VGS=-4.5VSO-8RDS(ON)=120m(typ.) @ VGS=-3.0V Super High Dense Cell Design for Extremely LowD1 D1 S2RDS
apm9928.pdf

APM9928Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N-Channel5 & , 20V/5A , RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=4.5V/ % , RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=3.0V 5 ! $ , / " # , P-Channel-20V/-3.2A , RDS(ON)=80m(typ.) @ VGS=-4.5VSO-8RDS(ON)=120m(typ.) @ VGS=-3.0V Super High Dense Cell Design for Extremely LowD1 D1 S2RDS
apm9926c.pdf

APM9926/CN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Applications 20V/6A , RDS(ON)=28m(typ.) @ VGS=4.5V Power Management in Notebook Computer ,RDS(ON)=38m(typ.) @ VGS=2.5V Portable Equipment and Battery PoweredSystems. Super High Dense Cell Design for ExtremelyLow RDS(ON) Reliable and Rugged SO-8 and TSSOP-8 Packages
apm9926ak.pdf

APM9926AKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS(ON) =28m (typ.) @ VGS =4.5VRDS(ON) =34m (typ.) @ VGS =2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1D2 D2Applications Power Management in Portable Equipment andBattery Powered Systems (2) (4)G1
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: 2SK1279 | IRL3714LPBF
History: 2SK1279 | IRL3714LPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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