APM9935K Todos los transistores

 

APM9935K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM9935K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

APM9935K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  anpec
apm9935k.pdf pdf_icon

APM9935K

APM9935KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 -20V/-6A ,D1D2D2RDS(ON)=30m(typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=38m(typ.) @ VGS=-2.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(1) (3)S1 S2Applica

 8.1. Size:258K  anpec
apm9934k.pdf pdf_icon

APM9935K

APM9934KDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD N-ChannelDDD20V/9A,RDS(ON) =15m (typ.) @ VGS = 4.5VS1G1RDS(ON) =22m (typ.) @ VGS = 2.5VS2G2 P-ChannelTop View of SOP - 8-20V/-6A,RDS(ON) =35m (typ.) @ VGS =-4.5V(3)(8) (7)RDS(ON) =45m (typ.) @ VGS =-2.5VS2D1 D1 Super High Dense Cell Design Reliable and Ru

 8.2. Size:177K  anpec
apm9932ck.pdf pdf_icon

APM9935K

APM9932CKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD N-ChannelDD20V/9A,DRDS(ON) =12m(typ.) @ VGS = 4.5VS1RDS(ON) =18m(typ.) @ VGS = 2.5V G1S2G2 P-Channel-20V/-6A,Top View of SOP - 8RDS(ON) =30m(typ.) @ VGS =-4.5V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) =50m(typ.) @ VGS =-2.5VD1 D1D2 D2 Super High Dens

 8.3. Size:208K  anpec
apm9933k.pdf pdf_icon

APM9935K

APM9933KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-3.4A , RDS(ON)=45m(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=52m(typ.) @ VGS=-3V RDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=-2.7V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(1) (3)S1 S2Applications(2) (4) Power Management in Notebook Computer,G1 G

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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