2N7075 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7075
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7075
2N7075 Datasheet (PDF)
2n7076.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2N7076DESCRIPTIONDrain Current I =28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D
Otros transistores... 2N7061 , 2N7063 , 2N7064 , 2N7066 , 2N7071 , 2N7072 , 2N7073 , 2N7074 , IRF4905 , 2N7076 , 2N7077 , 2N7078 , 2N7079 , 2N7080 , 2N7081 , 2N7082 , 2N7085 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918