APM9966CO Todos los transistores

 

APM9966CO MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM9966CO

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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APM9966CO datasheet

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APM9966CO

APM9966CO Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A, RDS(ON) =20m (typ.) @ VGS =4.5V RDS(ON) =25m (typ.) @ VGS =2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) Top View of TSSOP - 8 (1) (8) D1 D2 Applications (5) (4) G1 G2 P

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APM9966CO

APM9966/C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer , 20V/6A , RDS(ON)=19m (typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery Powered RDS(ON)=27m (typ.) @ VGS=2.5V Systems. TSSOP-8 20V/6A , RDS(ON)=21m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=29m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely

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APM9966CO

APM9966/C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer , 20V/6A , RDS(ON)=19m (typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery Powered RDS(ON)=27m (typ.) @ VGS=2.5V Systems. TSSOP-8 20V/6A , RDS(ON)=21m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=29m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely

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APM9966CO

APM9968C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V D 1 8 D S1 2 7 S2 RDS(ON)=20m (typ.) @ VGS=2.5V S1 3 6 S2 Super High Dense Cell Design for Extremely G1 4 5 G2 Low RDS(ON) Reliable and Rugged TSSOP-8 TSSOP-8 Packages D D Applications G1 G2

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