IRF450 Todos los transistores

 

IRF450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

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IRF450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  international rectifier
 2n6770 irf450.pdf pdf_icon

IRF450

PD - 90330F REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6770 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF450 500V 0.400 12A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest S

 ..2. Size:359K  st
 irf450 irf451 irf452 irf453.pdf pdf_icon

IRF450

 ..3. Size:56K  intersil
 irf450.pdf pdf_icon

IRF450

IRF450 Data Sheet March 1999 File Number 1827.3 13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Features Power MOSFET 13A, 500V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400 effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Rated tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode

 0.1. Size:409K  nell
 irf450b irf450c.pdf pdf_icon

IRF450

RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 14A, 500Volts DESCRIPTION D The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 14A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

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