G37 Todos los transistores

 

G37 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G37

Código: G37

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.052 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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G37 Datasheet (PDF)

1.1. 2ps18012e44g37090.pdf Size:652K _igbt_a

G37
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テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール FF450R12KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode 暫定データ IGBT- インバータ / IGBT,Inverter Preliminary Data 最大定格 / Maximum Rated Values コレク

1.2. 6ps04512e43g37986.pdf Size:652K _igbt_a

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テクニカルインフォメーション / Technical Information IGBT-モジュール FF450R12KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode 暫定データ IGBT- インバータ / IGBT,Inverter Preliminary Data 最大定格 / Maximum Rated Values コレク

 1.3. g3710.pdf Size:1709K _goford

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GOFORD G3710 Description Features • VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 21m 59 A 100V Ω • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • UPS • Inverter • Electric tools • High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Dra

1.4. g37.pdf Size:1711K _goford

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GOFORD G37 DESCRIPTION D The G37 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram ● VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) G37 -20V 37mΩ 55mΩ -4.1 A ● High P

 1.5. 3dg3779.pdf Size:180K _china

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2SC3779(3DG3779) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:超高频低噪声放大,宽频放大。 Applications: UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. 特点:低噪声系数,高功率增益,高特征频率。 Features:Small noise figure, high power gain, high f . T 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Ra

Otros transistores... IRFP255 , IRFP260 , IRFP264 , IRFP330 , IRFP331 , IRFP332 , IRFP333 , IRFP340 , 2N5484 , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC .

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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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