G37 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G37
   Código: G37
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G37

G37 Datasheet (PDF)

..1. Size:1711K goford
g37.pdf

GOFORDG37DESCRIPTION DThe G37 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)G37-20V37m 55m -4.1 A High P

0.1. Size:242K 1
kng3703a.pdf

50A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX3703AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R (typ.)=7.5m,VGS=10VDS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

0.2. Size:652K infineon
2ps18012e44g37090.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF450R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values

0.3. Size:652K infineon
6ps04512e43g37986.pdf

0.4. Size:1709K goford
g3710.pdf

GOFORDG3710Description Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 21m 59 A100V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS Inverter Electric tools High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Dra

0.5. Size:180K foshan
3dg3779.pdf

2SC3779(3DG3779) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Applications: UHF low-noise amplifiers, wide-band amplifiers. : Features:Small noise figure, high power gain, high f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ra

0.6. Size:242K kia
kng3703a kny3703a.pdf

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Liste

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