SVD2N60T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD2N60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Encapsulados: TO220-3L
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SVD2N60T datasheet
svd2n60.pdf
SVD2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s
Otros transistores... G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , IRF9540N , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 , 2SK793 , 2SK1363 .
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