FTK9451 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK9451
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK9451

FTK9451 Datasheet (PDF)

..1. Size:215K first silicon
ftk9451.pdf

SEMICONDUCTORFTK9451TECHNICAL DATAP-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-89 Description The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the 1. GATE best combination of fast switching, ruggedized device desigh, 2. DRAIN ultra low on- resistance and cost-effectiveness. 3. SOURCE 1 2 3 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units Dr

8.1. Size:331K first silicon
ftk9452.pdf

SEMICONDUCTORFTK9452TECHNICAL DATAN-Channel 20-V(D-S) MOSFET ACHG The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, DDKultra low on- resistance and cost-effectiveness. F FDDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAXG_+F 1.50 0.10G 0.

9.1. Size:330K first silicon
ftk9435.pdf

SEMICONDUCTOR FTK9435 TECHNICAL DATA DDESCRIPTION The FTK9435 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 5 8 VDS = -30V,ID = -5.3A RDS(ON)

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Liste

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