FTK9452 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK9452
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
- Selección de transistores por parámetros
FTK9452 Datasheet (PDF)
ftk9452.pdf

SEMICONDUCTORFTK9452TECHNICAL DATAN-Channel 20-V(D-S) MOSFET ACHG The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, DDKultra low on- resistance and cost-effectiveness. F FDDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAXG_+F 1.50 0.10G 0.
ftk9451.pdf

SEMICONDUCTORFTK9451TECHNICAL DATAP-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-89 Description The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the 1. GATE best combination of fast switching, ruggedized device desigh, 2. DRAIN ultra low on- resistance and cost-effectiveness. 3. SOURCE 1 2 3 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units Dr
ftk9435.pdf

SEMICONDUCTOR FTK9435 TECHNICAL DATA DDESCRIPTION The FTK9435 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 5 8 VDS = -30V,ID = -5.3A RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D
History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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