FTK8N65P Todos los transistores

 

FTK8N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK8N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FTK8N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65P

SEMICONDUCTORFTK8N65P / F / DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pul

 9.1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65P

SEMICONDUCTORFTK8N80P/D/DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

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History: G11 | AUIRF7734M2 | CEF05N6 | AM2336N-T1 | DMP1096UCB4 | SMOS44N80

 

 
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