FTK5N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK5N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK5N80P

FTK5N80P Datasheet (PDF)

..1. Size:616K first silicon
ftk5n80p f dd.pdf

SEMICONDUCTORFTK5N80P/D/DDTECHNICAL DATA5.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

9.1. Size:338K first silicon
ftk5n50d.pdf

SEMICONDUCTORFTK5N50DTECHNICAL DATA4.4A, 500V, 1.5 A KDIM MILLIMETERSLC D_A 6 60 + 0 20N-CHANNEL POWER MOSFET_B 6 10 + 0 20_C 5 34 + 0 30_D 0 70 + 0 20_E 2 70 0 15+B_+F 2 30 0 10G 0 96 MAXH 0 90 MAXHJ_J 1 80 + 0 20DESCRIPTIONE_K 2 30 + 0 10G N_L 0 50 0 10+F F M _+M 0 50 0 10 FTK5N50D is 500V High voltage N-Chan

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: