FTK5N80P Todos los transistores

 

FTK5N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK5N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FTK5N80P datasheet

 ..1. Size:616K  first silicon
 ftk5n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK5N80P

SEMICONDUCTOR FTK5N80P/D/DD TECHNICAL DATA 5.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse in

 9.1. Size:338K  first silicon
 ftk5n50d.pdf pdf_icon

FTK5N80P

SEMICONDUCTOR FTK5N50D TECHNICAL DATA 4.4A, 500V, 1.5 A K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6 60 + 0 20 N-CHANNEL POWER MOSFET _ B 6 10 + 0 20 _ C 5 34 + 0 30 _ D 0 70 + 0 20 _ E 2 70 0 15 + B _ + F 2 30 0 10 G 0 96 MAX H 0 90 MAX H J _ J 1 80 + 0 20 DESCRIPTION E _ K 2 30 + 0 10 G N _ L 0 50 0 10 + F F M _ + M 0 50 0 10 FTK5N50D is 500V High voltage N-Chan

Otros transistores... FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D , FTK5903DC , FTK5N50D , FTK5N80DD , FTK5N80F , K3569 , FTK50N03D , FTK50N06P , FTK1206 , FTK1208 , FTK1216 , FTK12N10S , FTK12N65DD , FTK12N65F .

History: NVTFS5C680NL | IRFB3006G | AGM206A | SML40J53 | AGM025N10C | MMF60R190QTH | STD10PF06

 

 
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