FTK20N06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK20N06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO252

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FTK20N06D datasheet

 ..1. Size:425K  first silicon
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FTK20N06D

SEMICONDUCTOR FTK20N06D TECHNICAL DATA N-Channel Power MOSFET A I C J GENERAL DESCRIPTION The FTK20N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H H 1 00 MAX I 2 30 0

 9.1. Size:530K  first silicon
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FTK20N06D

SEMICONDUCTOR FTK2012 TECHNICAL DATA N-Channel MOSFET DFNWB2 2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @ 4.5V 11 1. DRAIN @ 13m 2.5V 2. DRAIN A m @1.8V 12 16 20V 3. GATE 4. SOURCE 22m @1.5V 5. DRAIN 41m @1.2V 6. DRAIN FEATURES APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Load Switch for Portable Applications Small package DFNWB2 2-6L-J Equivalent Circui

 9.2. Size:818K  first silicon
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FTK20N06D

SEMICONDUCTOR FTK2005DFN23 TECHNICAL DATA DFNWB2 3-6L-C Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 13 V m @10 14 @4.5V m 15.5m @3.8V 8 A 20V .5V 19m @2 27m @1.8V DESCRIPTION The FTK2005DFN23 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-direction

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