FTK3134K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK3134K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Encapsulados: SOT723
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FTK3134K datasheet
ftk3134k.pdf
SEMICONDUCTOR FTK3134K TECHNICAL DATA N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m @ 4.5V 1. GATE 20V 450m @ 2.5V 0.75A 2. SOURCE 800m @1.8V 3. DRAIN FEATURES APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low R(on) DS Battery Management for Ultra Small Portabl
ftk3134kd.pdf
SEMICONDUCTOR FTK3134KD TECHNICAL DATA Dual N-Channel MOSFET SOT-363 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m @ 4.5V 0.75A 450m @ 2.5V 20V 800m @1.8V FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Electronics
ftk3139k.pdf
SEMICONDUCTOR FTK3139K TECHNICAL DATA SOT-723 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on) MAX 520m @-4.5V 1. GATE 700m @-2.5V -20V -0.66A 2. SOURCE 950m @-1.8V 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS (on) Battery Management for Ultra
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History: PE674DT
🌐 : EN ES РУ
Liste
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