FTK3134KD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK3134KD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK3134KD

FTK3134KD Datasheet (PDF)

..1. Size:398K first silicon
ftk3134kd.pdf

SEMICONDUCTORFTK3134KDTECHNICAL DATADual N-Channel MOSFETSOT-363ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m@ 4.5V0.75A450m@ 2.5V 20V800m@1.8V FEATUREAPPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Electronics

6.1. Size:336K first silicon
ftk3134k.pdf

SEMICONDUCTORFTK3134KTECHNICAL DATAN-Channel MOSFET SOT-723ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m@ 4.5V1. GATE 20V 450m@ 2.5V 0.75A2. SOURCE 800m@1.8V 3. DRAIN FEATURES APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low R(on) DS Battery Management for Ultra Small Portabl

8.1. Size:371K first silicon
ftk3139k.pdf

SEMICONDUCTORFTK3139KTECHNICAL DATASOT-723P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 520m@-4.5V 1. GATE 700m@-2.5V -20V-0.66A 2. SOURCE 950m@-1.8V 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra

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History: AP4813GYT-HF

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