FTK3139K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK3139K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: SOT723

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FTK3139K datasheet

 ..1. Size:371K  first silicon
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FTK3139K

SEMICONDUCTOR FTK3139K TECHNICAL DATA SOT-723 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on) MAX 520m @-4.5V 1. GATE 700m @-2.5V -20V -0.66A 2. SOURCE 950m @-1.8V 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching P-Channel Switch with Low RDS (on) Battery Management for Ultra

 8.1. Size:336K  first silicon
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FTK3139K

SEMICONDUCTOR FTK3134K TECHNICAL DATA N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m @ 4.5V 1. GATE 20V 450m @ 2.5V 0.75A 2. SOURCE 800m @1.8V 3. DRAIN FEATURES APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low R(on) DS Battery Management for Ultra Small Portabl

 8.2. Size:398K  first silicon
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FTK3139K

SEMICONDUCTOR FTK3134KD TECHNICAL DATA Dual N-Channel MOSFET SOT-363 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m @ 4.5V 0.75A 450m @ 2.5V 20V 800m @1.8V FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low RDS(on) Battery Management for Ultra Small Portable Electronics

Otros transistores... FTK2627, FTK2816E, FTK3004D, FTK3018, FTK3022, FTK3051, FTK3134K, FTK3134KD, IRF3205, FTK3341, FTK3400, FTK3401, FTK3404, FTK3407, FTK3407L, FTK3415, FTK3415L