2N3458 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3458

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm

Encapsulados: TO18

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2N3458 datasheet

 ..1. Size:52K  njs
2n3458 2n3459 2n3460.pdf pdf_icon

2N3458

 9.1. Size:69K  microsemi
2n3498 2n3499 2n3450 2n3451.pdf pdf_icon

2N3458

TECHNICAL DATA NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 Devices Qualified Level JAN 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANTX 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS 2N3498* 2N3500* Ratings Symbol 2N3499* 2N3501* Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 6.0 Vdc VE

Otros transistores... 2SK1723, 2SK2769-01MR, 2SK3113, 2SK3687-01MR, 2SK3919, 2SK4213, IRF260B, IRF260C, CS150N03A8, 2N3459, 2N3460, 2SJ599, 2SK1657, FMH20N60S1, IRF630B, IRFP264N, SM4912TSK