2N3458 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3458
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N3458
2N3458 Datasheet (PDF)
2n3498 2n3499 2n3450 2n3451.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 Devices Qualified Level JAN 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANTX 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS 2N3498* 2N3500* Ratings Symbol 2N3499* 2N3501* Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 6.0 Vdc VE
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918