2N3460 Todos los transistores

 

2N3460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3460
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100000 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N3460 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  njs
 2n3458 2n3459 2n3460.pdf pdf_icon

2N3460

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2N3460

TECHNICAL DATA PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/348 Devices Qualified Level JAN 2N3467 2N3468 JANTX 2N3467L 2N3468L JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3467 2N3468 Ratings Symbol Unit 2N3467L 2N3468L Collector-Emitter Voltage 40 50 Vdc VCEO TO-39* (TO-205AD) Collector-Base Voltage 40 50 Vdc VCBO 2N3467, 2N3468 Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc

 9.2. Size:47K  microsemi
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2N3460

TECHNICAL DATA PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/348 Devices Qualified Level JAN 2N3467 2N3468 JANTX 2N3467L 2N3468L JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3467 2N3468 Ratings Symbol Unit 2N3467L 2N3468L Collector-Emitter Voltage 40 50 Vdc VCEO TO-39* (TO-205AD) Collector-Base Voltage 40 50 Vdc VCBO 2N3467, 2N3468 Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc

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2N3460

Data Sheet No. 2N3468Generic Part Number:Type 2N34682N3468Geometry 6706Polarity PNPREF: MIL-PRF-19500/348Qual Level: JAN - JANTXVFeatures: General-purpose transistor forswitching and amplifier applica-tons. Housed in a TO-39 case. Also available in chip form usingthe 6706 chip geometry. The Min and Max limits shown areper MIL-PRF-19500/348 whichSemi

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History: 2301P | KI5P04DS | JFAM20N65E | IPD60R3K4CE | SSF1016D | SUP85N03-07P | NCEP3065BQU

 

 
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