2N3460 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3460

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100000 Ohm

Encapsulados: TO18

 Búsqueda de reemplazo de 2N3460 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N3460 datasheet

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2N3460

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2N3460

TECHNICAL DATA PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/348 Devices Qualified Level JAN 2N3467 2N3468 JANTX 2N3467L 2N3468L JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3467 2N3468 Ratings Symbol Unit 2N3467L 2N3468L Collector-Emitter Voltage 40 50 Vdc VCEO TO-39* (TO-205AD) Collector-Base Voltage 40 50 Vdc VCBO 2N3467, 2N3468 Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc

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2N3460

TECHNICAL DATA PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/348 Devices Qualified Level JAN 2N3467 2N3468 JANTX 2N3467L 2N3468L JANTXV MAXIMUM RATINGS 2N3467 2N3468 Ratings Symbol Unit 2N3467L 2N3468L Collector-Emitter Voltage 40 50 Vdc VCEO TO-39* (TO-205AD) Collector-Base Voltage 40 50 Vdc VCBO 2N3467, 2N3468 Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc

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2N3460

Data Sheet No. 2N3468 Generic Part Number Type 2N3468 2N3468 Geometry 6706 Polarity PNP REF MIL-PRF-19500/348 Qual Level JAN - JANTXV Features General-purpose transistor for switching and amplifier applica- tons. Housed in a TO-39 case. Also available in chip form using the 6706 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/348 which Semi

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