SM4912TSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4912TSK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4912TSK

SM4912TSK Datasheet (PDF)

..1. Size:313K sino
sm4912tsk.pdf

SM4912TSKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionG1D2/S1 Channel 1D2/S1D2/S130V/11A,RDS(ON) = 11.5m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 4.5VG2S2 Channel 2Top View of SOP 830V/12A,RDS(ON) = 10.5m (max.) @ VGS =10VD1S1/D2RDS(ON) = 14.5m (max.) @ VGS =4.5V(1)(2) (5)(6)(7) Reliable and Rugged Lead Free Availabl

9.1. Size:232K sino
sm4915psk.pdf

SM4915PSK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -30V/-7A,DDRDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 60m (max.) @ VGS =-4.5VS 100% UIS + Rg TestedSSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) ( 5,6,7,8 )DDDD HBM ESD protection level pass 2KVApplications(4)G Power Management i

9.2. Size:318K sino
sm4913tsk.pdf

SM4913TSKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionG1D2/S1 Channel 1D2/S1D2/S130V/6.8A,RDS(ON) = 21.5m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG2S2 Channel 2 (Integrated Schottky Diode)Top View of SOP 830V/10.3A,RDS(ON) = 10.5m (max.) @ VGS =10VD1S1/D2RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS =4.5V(1)(2) (5)(6)(7) Reliable an

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Liste

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