SST108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SST108
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST108

SST108 Datasheet (PDF)

..1. Size:50K vishay
j108 j109 j110 sst108 sst109 sst110.pdf

J/SST108 SeriesVishay SiliconixNChannel JFETsJ108 SST108J109 SST109J110 SST110PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST108 3 to 10 8 20 4J/SST109 2 to 6 12 20 4J/SST110 0.5 to 4 18 20 4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J108

..2. Size:21K calogic
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N-Channel JFET SwitchLLCJ108 J110 / SST108 SST110FEATURES APPLICATIONS Low Cost Analog Switches Automated Insertion Package Choppers Low Insertion Loss Commutators No Offset or Error Voltages Generated by Closed Switch Low-Noise Audio Amplifiers Purely ResistiveABSOLUTE MAXIMUM RATINGS High Isolation

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: