SST109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST109
Código: 19_I09_J9
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.5 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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SST109 Datasheet (PDF)
j108 j109 j110 sst108 sst109 sst110.pdf
J/SST108 SeriesVishay SiliconixNChannel JFETsJ108 SST108J109 SST109J110 SST110PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST108 3 to 10 8 20 4J/SST109 2 to 6 12 20 4J/SST110 0.5 to 4 18 20 4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J108
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N-Channel JFET SwitchLLCJ108 J110 / SST108 SST110FEATURES APPLICATIONS Low Cost Analog Switches Automated Insertion Package Choppers Low Insertion Loss Commutators No Offset or Error Voltages Generated by Closed Switch Low-Noise Audio Amplifiers Purely ResistiveABSOLUTE MAXIMUM RATINGS High Isolation
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
